CVD管式炉设备由沉积温度控件、沉积反应室、真空控制部件和气源控制备件等部分组成亦可根据用户需要设计生产，CVD系统除了主要应用在碳纳米材料制备行业外，现在正在使用在许多行业，包括纳米电子学、半导体、光电工程的研发、涂料等领域。
CVD管式炉此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
产品组成：
此款CVD系统配置：
1.1200度开启式真空管式炉（可选配单温区、双温区）。
2.多路质量流量控制系统
3.真空系统（可选配中真空或高真空）
CVD管式炉产品特点：
1 控制电路选用模糊PID程控技术，该技术控温精度高，热惯性小，温度不过冲，性能可靠，操作简单。
2 气路快速连接法兰结构采用本公司*的知识产权设计,提高操作便捷性。
3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能，高真空系统采用高压强，耐冲击分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏，延长系统使用寿命。
技术参数：
|
系统名称 |
1200℃单/双温区CVD系统 |
|
|
系统型号 |
CVD-12II-3Z/G |
CVD-12II6-3Z/G |
|
极限温度 |
1200℃ |
|
|
加热区长度 |
420mm |
600mm |
|
恒温区长度 |
280mm |
390mm |
|
温区 |
双温区 |
双温区 |
|
石英管管径 |
Φ50/Φ60/Φ80mm |
Φ80/Φ100mm |
|
额定功率 |
3.2Kw |
4.8Kw |
|
额定电压 |
220V |
|
|
温度控制 |
国产程序控温系统50段程序控温； |
|
|
控制精度 |
±1℃ |
|
|
炉管极限工作温度 |
＜1200℃ |
|
|
气路法兰 |
密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术，在密封法兰与管外壁间形成了密封，在管件外径误差较大的情况下密封仍然有效，该密封法兰的安装只需在*使用设备的时候安装 |
|
|
气体控制方式 |
质量流量计 |
|
|
气路数量 |
3路（可根据具体需要选配气路数量） |
|
|
流量范围 |
0-500sccm(标准毫升/分，可选配）氮气标定 |
|
|
精度 |
±1%F.S |
|
http://www.ctjzh.net/Products-34810269.html